MOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關電路。

1、MOS管的構造

在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅(Si02)絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N溝道(NPN型)增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。圖1-1所示A、B分別是它的結構圖和代表符號。

同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道(PNP型)增強型MOS管。下圖所示分別是N溝道和P溝道MOS管道結構圖和代表符號。

2、MOS管的工作原理

增強型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個背靠背的PN結。當柵-源電壓VGS=0時，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個PN結處于反偏狀態，漏-源極間沒有導電溝道(沒有電流流過)，所以這時漏極電流ID=0。

此時若在柵-源極間加上正向電壓，即VGS>0，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產生一個柵極指向P型硅襯底的電場，由于氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個電容，VGS等效是對這個電容充電，并形成一個電場，隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在這個電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個從漏極到源極的N型導電溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VT(一般約為2V)時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時的柵-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示。

控制柵極電壓VGS的大小改變了電場的強弱，就可以達到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個重要特點，所以也稱之為場效應管。

3、MOS管的特性

上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于Sio2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產生電場從而導致源極-漏極電流的產生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結論：

1)MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。

2)MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。

4、MOS管的電壓極性和符號規則

上圖是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。

在實際MOS管生產的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號的規則中;表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區別漏極和源極。

上圖是P溝道MOS管的符號。

MOS管應用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負極，柵極G正電壓時導電溝道建立，N溝道MOS管開始工作。

同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負極，源極S接正極，柵極G負電壓時，導電溝道建立，P溝道MOS管開始工作。

5、MOS管和晶體三極管相比的重要特性

1)場效應管的源極S、柵極G、漏極D分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。

2)場效應管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數是(跨導gm)當柵極電壓改變一伏時能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(貝塔β)當基極電流改變一毫安時能引起集電極電流變化多少。

3)場效應管柵極和其它電極是絕緣的，不產生電流;而三極管工作時基極電流IB決定集電極電流IC。因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

4)場效應管只有多數載流子參與導電;三極管有多數載流子和少數載流子兩種載流子參與導電，因少數載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應管比三極管的溫度穩定性好。

5)場效應管在源極未與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大，而三極管的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，b值將減小很多。

6)場效應管的噪聲系數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。

7)場效應管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關電路，但是場效應管制造工藝簡單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優秀特性，在各種電路及應用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規模和超大規模集成電路中，已經廣泛的采用場效應管。

6、在開關電源電路中，大功率MOS管和大功率晶體三極管相比MOS管的優點

1)輸入阻抗高，驅動功率小——由于柵源之間是二氧化硅(SiO2)絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產生壓降，有電壓就可以驅動，所以驅動功率極小(靈敏度高)。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產生基極電流Ib，才能驅動集電極電流的產生。晶體三極管的驅動是需要功率的(Vb×Ib)。

2)開關速度快——MOSFET的開關速度和輸入的容性特性的有很大關系，由于輸入容性特性的存在，使開關的速度變慢，但是在作為開關運用時，可降低驅動電路內阻，加快開關速度(輸入采用了后述的“灌流電路”驅動，加快了容性的充放電的時間)。MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非常迅速，開關時間在10—100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數載流子的存儲效應，使開關總有滯后現象，影響開關速度的提高(目前采用MOS管的開關電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的)。

3)無二次擊穿——由于普通的功率晶體三極管具有當溫度上升就會導致集電極電流上升(正的溫度～電流特性)的現象，而集電極電流的上升又會導致溫度進一步的上升，溫度進一步的上升，更進一步的導致集電極電流的上升這一惡性循環。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續上升、耐壓繼續下降最終導致晶體三極管的擊穿，這是一種導致電視機開關電源管和行輸出管損壞率占95%的破環性的熱電擊穿現象，也稱為二次擊穿現象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當管溫度(或環境溫度)上升時，溝道電流IDS反而下降。例如;一只IDS=10A的MOSFET開關管，當VGS控制電壓不變時，在250C溫度下IDS=3A，當芯片溫度升高為1000C時，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導致溝道電流IDS下降的負溫度電流特性，使之不會產生惡性循環而熱擊穿。也就是MOS管沒有二次擊穿現象，可見采用MOS管作為開關管，其開關管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機開關電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關管損壞率大大降低也是一個極好的證明。

4)MOS管導通后其導通特性呈純阻性——普通晶體三極管在飽和導通是，幾乎是直通，有一個極低的壓降，稱為飽和壓降，既然有一個壓降，那么也就是;普通晶體三極管在飽和導通后等效是一個阻值極小的電阻，但是這個等效的電阻是一個非線性的電阻(電阻上的電壓和流過的電流不能符合歐姆定律)，而MOS管作為開關管應用，在飽和導通后也存在一個阻值極小的電阻，但是這個電阻等效一個線性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過的電流符合歐姆定律的關系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導通后既然等效是一個線性元件，線性元件就可以并聯應用，當這樣兩個電阻并聯在一起，就有一個自動電流平衡的作用，所以MOS管在一個管子功率不夠的時候，可以多管并聯應用，且不必另外增加平衡措施(非線性器件是不能直接并聯應用的)。

MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項優點，就足以使MOS管在開關運用狀態下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術MOS管道VDS能做到1000V，只能作為開關電源的開關管應用，隨著制造工藝的不斷進步，VDS的不斷提高，取代顯像管電視機的行輸出管也是近期能實現的。

MOS管和普通晶體三極管相比，有諸多的優點，但是在作為大功率開關管應用時，由于MOS管具有的容性輸入特性，MOS管的輸入端，等于是一個小電容器，輸入的開關激勵信號，實際上是在對這個電容進行反復的充電、放電的過程，在充放電的過程中，使MOS管道導通和關閉產生了滯后，使“開”與“關”的過程變慢，這是開關元件不能允許的(功耗增加，燒壞開關管)。

壓波形變成B的畸變波形，導致開關管不能正常開關工作而損壞，解決的方法就是，只要R足夠的小，甚至沒有阻值，激勵信號能提供足夠的電流，就能使等效電容迅速的充電、放電，這樣MOS開關管就能迅速的“開”、“關”，保證了正常工作。由于激勵信號是有內阻的，信號的激勵電流也是有限度，我們在作為開關管的MOS管的輸入部分，增加一個減少內阻、增加激勵電流的“灌流電路”來解決此問題。

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