快恢復二極管與肖特基二極管區別主要體現在以下幾個方面,分別是結構原理不同、反向恢復時間不同、反向峰值不同以及正向導通壓降不同。
1、結構原理不同。肖特基二極管是貴重金屬和n型半導體結合成,而快恢復二極管是普通PN結內加了個薄基區I,為PIN結。
2、反向恢復時間不同??旎謴投O管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結構上有采用PN結型結構,有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長,后者則在 100 納秒以下。而肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場合。
3、快恢復二極管反向峰值可以達到幾百到幾千伏;而肖特基二極管反向擊穿電壓大多不高于60V,最高僅約100V,限制其使用。因此像在開關電源變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管等只有使用快速恢復(UFRD)。
4、快恢復二極管有0.8-1.1V的正向導通壓降,而肖特基正向導通壓降僅0.4V左右。
總的來說,由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。
快恢復二極管可以在導通和截止之間迅速轉換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴投O管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開關速度,同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。
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